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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOB125A60L是一款采用aMOS5技术的N沟道功率MOSFET，采用TO-263（D2Pak）表面贴装封装。其核心参数包括600V的漏源电压（Vdss）和28A的连续漏极电流（Id），提供了强大的功率处理能力。
该器件的关键优势在于其优异的动态与静态性能平衡。其导通电阻（Rds(On)）在10V Vgs、14A Id条件下最大值为125毫欧，有效降低了传导损耗。同时，最大39nC的低栅极电荷（Qg）确保了快速的开关速度，有助于提升高频应用的效率并降低驱动需求。宽工作结温范围（-55°C至150°C）使其能够适应苛刻的环境条件。
基本参数：
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