AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOSP21313C是AOS公司推出的一款P沟道功率MOSFET，采用8-SOIC封装，专为表面贴装应用设计。其核心优势在于30V/7A的额定参数下，实现了极低的导通电阻（典型值32mΩ @ 10V, 7A）和较低的栅极电荷（33nC @ 10V），这直接带来了更低的传导损耗和更高的开关效率。
该器件具备宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C结温）和±20V的栅源电压耐受能力，确保了其在苛刻环境下的可靠性与设计灵活性。这些特性使其成为负载开关、DC-DC转换及电源管理等高效率、高密度应用的优选解决方案。
基本参数：
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