我们为全球各个行业提供AOS AO3435现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

AO3435是AOS公司生产的一款P沟道MOSFET，采用SOT-23-3L封装，专为低压、大电流开关应用而优化。其核心电气参数包括20V的漏源电压（Vdss）和2.9A的连续漏极电流（Id），能够在紧凑的尺寸下处理可观的功率。

该器件的突出优势在于其极低的导通电阻，在4.5V驱动电压下典型值仅为70毫欧，这显著降低了导通状态下的功率损耗。同时，其低栅极电荷（11nC）和逻辑电平兼容的栅极阈值电压（最大1V）确保了其可由标准微控制器GPIO口高效驱动，简化了系统设计并提升了开关性能。

• 型号:AO3435
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT23-3L
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.9A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:70 毫欧 @ 3.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:745 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:3-SMD，SOT-23-3 变式
• AO3435，AOS产品一站式供应商。