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零件图片(仅供参考)
AON7210
规格参数

AON7210是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET,采用8-DFN-EP封装,专为高密度、高效率的功率转换应用而设计。其核心优势在于极低的导通电阻(4毫欧 @ 10V, 20A)高电流处理能力(连续漏极电流达30A Ta / 50A Tc),这使其在导通状态下的功率损耗显著降低,有效提升了系统整体能效。

该器件具备快速开关特性,栅极电荷(Qg)最大值仅为30nC,有助于减少开关损耗并支持更高频率的开关操作。其30V的漏源电压(Vdss)额定值和宽泛的栅极驱动电压范围,为同步整流、电机驱动和负载开关等应用提供了可靠且高效的解决方案。

  • 制造商产品型号:AON7210
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 30A/50A 8DFN
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):30A(Ta),50A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):4 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):30nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2380pF @ 15V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):6.2W(Ta),83W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:8-DFN-EP(3.3x3.3)
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    基本参数:
  • 电子零件型号:AON7210
  • 原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 30V 30A/50A 8DFN
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AON7210的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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