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零件图片(仅供参考)

规格参数
AON7210是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET,采用8-DFN-EP封装,专为高密度、高效率的功率转换应用而设计。其核心优势在于极低的导通电阻(4毫欧 @ 10V, 20A)与高电流处理能力(连续漏极电流达30A Ta / 50A Tc),这使其在导通状态下的功率损耗显著降低,有效提升了系统整体能效。
该器件具备快速开关特性,栅极电荷(Qg)最大值仅为30nC,有助于减少开关损耗并支持更高频率的开关操作。其30V的漏源电压(Vdss)额定值和宽泛的栅极驱动电压范围,为同步整流、电机驱动和负载开关等应用提供了可靠且高效的解决方案。

基本参数:

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