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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOI4N60是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-251A通孔封装。其核心优势在于高达600V的漏源击穿电压（Vdss）与优化的导通电阻特性，在10V Vgs、2A Id条件下，Rds(on)最大值仅为2.3欧姆，有效降低了导通损耗。
该器件设计注重开关效率与驱动简便性，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数经过优化，有助于实现更快的开关速度和更低的驱动损耗。其额定连续漏极电流（Id）为4A（Tc），工作结温范围宽达-50°C至150°C，确保了在各类中低功率高压开关应用中的稳定性和耐用性。
基本参数：
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