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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOD9T40P 是 AOS 推出的一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-252（D-Pak）表面贴装封装。其核心电气参数包括 400V 的漏源电压（Vdss）和 6.6A（Tc）的连续漏极电流，为高压开关应用提供了坚实的基础。
该器件的关键优势在于其良好的导通与开关特性平衡。在 10V 驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）最大值为 800 毫欧 @ 4A，有助于降低传导损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值 18nC @ 10V）和输入电容有利于实现快速开关，提升系统效率。其工作结温范围覆盖 -55°C 至 150°C，确保了广泛的适用性。
基本参数：
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