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AON7410L_101是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN（3x3）表面贴装封装。其核心优势在于优异的导通特性与开关性能，在10V Vgs和8A Id条件下，最大导通电阻低至20毫欧，能显著降低功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为12nC，有利于实现高速开关操作，提升转换效率。

该器件额定漏源电压（Vdss）为30V，连续漏极电流在管壳温度（Tc）下可达24A，具备较强的电流处理能力。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，并支持高达20W（Tc）的功率耗散，确保了在 demanding 应用环境下的可靠性。这些参数使其成为低压、大电流开关应用的理想选择。

• 制造商产品型号：AON7410L_101
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 9.5A/24A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：9.5A（Ta），24A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：20 毫欧 @ 8A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：12nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：660pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），20W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（3x3）
• AON7410L_101，AOS产品一站式供应商。