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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON7280是一款由AOS制造的N沟道功率MOSFET，采用表面贴装型8-DFN-EP封装。其核心优势在于80V的漏源电压（Vdss）和极低的导通电阻（典型值8.5mΩ @ 10V, 20A），这确保了在高压大电流应用中的高效能传导和低功率损耗。
该器件具备优异的开关特性，最大栅极电荷（Qg）仅为38nC，有助于实现快速开关并降低驱动损耗。其连续漏极电流在管壳温度（Tc）下可达50A，功率耗散能力高达83W（Tc），结合-55°C至150°C的宽工作结温范围，使其能够可靠地应用于高功率密度和严苛环境下的电源转换与电机驱动解决方案。
基本参数：
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