AOC2802（AOS，晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：4-UFBGA，WLCSP）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

AOC2802是AOS公司推出的一款采用4-WLCSP封装的2 N沟道共漏MOSFET阵列。该器件集成了两个逻辑电平门控的MOSFET，其核心优势在于极低的栅极电荷（最大10.4nC @ 4.5V），这直接转化为快速的开关速度和高效的功率转换性能，特别适合高频应用。

该芯片采用超紧凑的表面贴装封装，最大功耗为1.3W，并支持-55°C至150°C的宽结温范围，确保了在严苛环境下的可靠运行。其逻辑电平门控特性便于与低压处理器直接接口，简化了系统设计，主要面向空间受限、要求高功率密度和高效能的便携式及可穿戴电子设备。

制造商产品型号：AOC2802

制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）

描述：MOSFET 2N-CH 4WLCSP

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：-

零件状态：停产

FET类型：2 N 沟道（双）共漏

FET功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：-

25°C时电流-连续漏极(Id)：-

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-

不同Id时Vgs(th)（最大值）：-

不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：10.4nC @ 4.5V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-

功率-最大值：1.3W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：4-UFBGA，WLCSP

AOC2802，AOS产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：AOC2802

原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）

技术标准参数：MOSFET 2N-CH 4WLCSP

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

点击此处查询AOC2802的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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