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零件图片（仅供参考）
AOTF2142L
规格参数

AOTF2142L是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220F通孔封装。该器件设计用于在40V漏源电压下工作，并能在25°C管壳温度下持续承载高达112A的电流，展现出卓越的电流处理能力。

其核心电气优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs和20A Id条件下，Rds(On)最大值仅为1.9毫欧，能显著降低功率转换中的传导损耗。同时，其栅极驱动特性优良，标准驱动电压为4.5V/10V，栅极电荷（Qg）最大100nC，有利于实现高效的开关操作。器件工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。

  • 制造商产品型号：AOTF2142L
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 40V 112A TO220F
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：40V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：112A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.9 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：100nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：8320pF @ 20V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：41W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-220F
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOTF2142L
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 40V 112A TO220F
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOTF2142L的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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