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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOB15S60L是一款采用TO-263封装的N沟道功率MOSFET，隶属于AOS的aMOS产品系列。其核心优势在于600V的高漏源电压（Vdss）与低至290毫欧（@7.5A, 10V）的导通电阻（Rds(on)）的出色组合，这确保了器件在高压环境下工作时仍能保持较低的传导损耗，有助于提升系统整体效率。
此外，该器件具备15A（Tc）的连续电流处理能力和208W（Tc）的功率耗散能力，结合其较低的栅极电荷（15.6nC @10V），使其在开关电源和电机驱动等应用中能够实现快速开关并减少开关损耗。其工作温度范围覆盖-55°C至150°C（Tj），提供了宽泛的环境适应性，适用于对可靠性和性能有较高要求的工业及消费类电子设备。
基本参数：
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