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零件图片（仅供参考）
AON6210
规格参数

AON6210是一款由AOS制造的N沟道功率MOSFET，采用8-DFN封装，专为高效能、低电压应用而设计。其核心优势在于极低的导通电阻（低至1.8毫欧@10V, 20A）与优化的栅极电荷（100nC @ 10V），这共同实现了优异的传导损耗与开关损耗平衡，显著提升系统整体效率。

该器件额定漏源电压为30V，在Tc条件下连续漏极电流高达85A，并支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，具备强大的电流处理能力与高温可靠性。其4.5V至10V的驱动电压范围兼容常见逻辑电平，适用于高密度电源设计中的同步整流、DC-DC转换及电机驱动等关键电路。

  • 制造商产品型号：AON6210
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 28A/85A 8DFN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：28A（Ta），85A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.8 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：100nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：6300pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：2.3W（Ta），83W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-DFN（5x6）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AON6210
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 28A/85A 8DFN
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AON6210的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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