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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6922是一款采用8-DFN封装的双N沟道功率MOSFET阵列，专为高效功率切换设计。其核心优势在于极低的导通电阻（典型值3.8mΩ @20A, 10V）与逻辑电平门驱动能力（VGS(th)最大1.7V），可直接由低压微控制器驱动，简化了电路设计并降低了驱动损耗。
该器件具备25V的漏源电压（VDSS）和高达31A（25°C）的连续漏极电流处理能力，结合仅32nC（@10V）的低栅极电荷，确保了快速开关性能和低导通损耗。其宽工作结温范围（-55°C至150°C）与表面贴装封装，使其能够适应高密度、高可靠性的应用环境，如DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等。
基本参数：
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