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AON6922是一款采用8-DFN封装的双N沟道功率MOSFET阵列，专为高效功率切换设计。其核心优势在于极低的导通电阻（典型值3.8mΩ @20A, 10V）与逻辑电平门驱动能力（V_GS(th)最大1.7V），可直接由低压微控制器驱动，简化了电路设计并降低了驱动损耗。

该器件具备25V的漏源电压（V_DSS）和高达31A（25°C）的连续漏极电流处理能力，结合仅32nC（@10V）的低栅极电荷，确保了快速开关性能和低导通损耗。其宽工作结温范围（-55°C至150°C）与表面贴装封装，使其能够适应高密度、高可靠性的应用环境，如DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等。

• 型号:AON6922
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 25V 18A/31A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）非对称型
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:25V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A，31A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.7V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2340pF @ 12.5V
• 功率 - 最大值:2W，2.2W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-WDFN 焊盘
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（5x6）
• AON6922，AOS产品一站式供应商。