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零件图片（仅供参考）
规格参数
AONS1R6A70是AOS公司推出的一款N沟道MOSFET，采用aMOS技术，封装形式为8-DFN-EP（5x6）。该器件的核心优势在于其700V的高漏源电压（Vdss）额定值，为高压应用提供了可靠的保障。
其电气参数表现出色，在10V驱动下导通电阻（Rds(On)）低至1.6欧姆（@1A），有助于降低导通损耗。同时，极低的栅极电荷（8nC @10V）和输入电容（354pF @100V）确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，提升了高频应用的效率。器件支持高达4.6A（Tc）的连续漏极电流和78W（Tc）的功率耗散，工作温度范围覆盖-55°C至150°C，具备强大的电流处理能力和宽温工作可靠性。
基本参数：
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