
我们为全球各个行业提供AOS AOTF6N90及技术资料下载,帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。
零件图片(仅供参考)

规格参数
AOTF6N90是AOS公司生产的一款N沟道高压功率MOSFET,采用TO-220-3F通孔封装。该器件核心参数包括900V的漏源击穿电压(Vdss)和6A的连续漏极电流(Id),为高压应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于平衡了高压性能与开关特性。在10V Vgs下具有较低的导通电阻,有助于减少导通损耗。同时,优化的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)有利于实现快速开关,提升系统效率。器件工作结温范围宽(-55°C ~ 150°C),确保了在恶劣环境下的稳定性和可靠性。

基本参数:

AOS(万代半导体)全球授权代理商现货库存实时更新中,欢迎询价
AOS提供广泛的功率半导体产品线,包括完整的 MOSFET、IGBT、IPM、TVS、HVIC、SiC/GaN、电源管理IC产品系列
AOS代理商现货库存处理专家 - AOS全系列产品订货 - AOS公司实时全球现货库存查询







