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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON7568是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN（3x3）封装，专为优化功率转换效率而设计。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs和20A Id条件下典型值仅为4.6毫欧，能显著降低传导损耗。同时，最大60nC的栅极电荷确保了快速的开关速度，有利于高频应用。
该器件额定漏源电压为30V，连续漏极电流高达25A（Ta）/32A（Tc），具备强大的功率处理能力。其宽泛的栅源电压范围（±20V）和较低的开启阈值（Vgs(th)最大2.4V）使其易于驱动。结合高达28W（Tc）的功率耗散能力和-55°C至150°C的宽工作结温范围，AON7568为高密度、高可靠性的电源解决方案提供了坚实的基础。
基本参数：
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