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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6526是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN（5x6）表面贴装封装。该器件核心优势在于其优异的电气性能组合：30V的漏源电压（Vdss）提供稳定的耐压基础，同时在25°C管壳温度下可支持高达32A的连续漏极电流，具备强大的功率处理能力。
其技术亮点集中体现在极低的功率损耗上。在10V Vgs驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为7毫欧@20A，显著降低了导通状态的能量损失。同时，最大33nC @ 10V的低栅极电荷（Qg）确保了快速的开关瞬态响应，有利于提升高频开关电源的转换效率。这些特性使其成为空间受限、效率优先的同步整流和DC-DC转换应用的理想选择。
基本参数：
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