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零件图片（仅供参考）
AON6382
规格参数

AON6382是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP表面贴装封装。该器件设计用于提供高效率的功率开关解决方案，其核心电气参数包括30V的漏源电压（VDSS）和85A的连续漏极电流（ID）能力。

其技术亮点在于极低的导通电阻，在10V VGS下典型值仅为1.85毫欧，以及较低的栅极电荷（65nC @10V）。这些特性共同作用，显著降低了导通损耗和开关损耗，从而优化了电源系统的整体效率。此外，其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了在多种环境下的可靠性。

  • 制造商产品型号：AON6382
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：85A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.85 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：65nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3100pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：50W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-DFN-EP（5x6）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AON6382
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AON6382的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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