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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOU2N60是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-251-3通孔封装，专为高压开关应用而优化。其核心特性包括600V的漏源电压（Vdss）和2A的连续漏极电流（Id），能够承受严苛的电压环境并提供稳定的电流处理能力。
该器件在导通电阻与开关性能之间取得了良好平衡，其最大导通电阻（Rds(on)）低至4.4欧姆（@1A，10V），有助于降低导通损耗。同时，其最大栅极电荷（Qg）仅为11nC，结合4.5V的栅极阈值电压（Vgs(th)），确保了快速、高效的开关动作，有利于提升系统整体能效并简化驱动电路设计。
基本参数：
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