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AO4726是AOS公司SRFET系列中的一款N沟道MOSFET，采用8-SOIC封装。其核心优势在于30V的漏源电压（Vdss）和20A的连续漏极电流（Id）承载能力，结合低至4.5毫欧（@10V，20A）的导通电阻，能显著降低功率损耗，提升系统效率。

器件具备快速的开关特性，其最大栅极电荷（Qg）仅为73nC，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大为2.1V，便于驱动并支持较高频率的开关操作。内部集成体二极管，为设计提供了便利。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了在多种环境下的可靠性，适用于同步整流、电机驱动及负载开关等场景。

• 型号:AO4726
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:73 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3800 pF @ 15 V
• FET 功能:肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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