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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOW284是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-262封装。该器件核心优势在于其80V的漏源电压（Vdss）额定值与极低的导通电阻，在10V Vgs、20A条件下，Rds(on)最大值仅为4.3毫欧，能显著降低导通损耗，提升系统效率。
此外，其栅极电荷（Qg）最大值控制在100nC，有利于实现快速开关，减少开关损耗，适用于高频应用。器件具备强大的电流处理能力（壳温下Id达105A）和高达250W（Tc）的功率耗散能力，结合-55°C至175°C的宽工作结温范围，确保了在高功率密度和恶劣环境下的可靠性与稳定性。
制造商产品型号：AOW284制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）描述：MOSFET N-CH 80V 15A/105A TO262系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：AlphaMOS零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：80V25°C时电流-连续漏极(Id)：15A（Ta），105A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.3 毫欧 @ 20A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.3V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：100nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5154pF @ 40VFET功能：-功率耗散（最大值）：1.9W（Ta），250W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：TO-262AOW284，AOS产品一站式供应商。
基本参数：
电子零件型号：AOW284
原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
技术标准参数：MOSFET N-CH 80V 15A/105A TO262
产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
点击此处查询AOW284的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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