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AOW284是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-262封装。该器件核心优势在于其80V的漏源电压（Vdss）额定值与极低的导通电阻，在10V Vgs、20A条件下，Rds(on)最大值仅为4.3毫欧，能显著降低导通损耗，提升系统效率。

此外，其栅极电荷（Qg）最大值控制在100nC，有利于实现快速开关，减少开关损耗，适用于高频应用。器件具备强大的电流处理能力（壳温下Id达105A）和高达250W（Tc）的功率耗散能力，结合-55°C至175°C的宽工作结温范围，确保了在高功率密度和恶劣环境下的可靠性与稳定性。

• 型号:AOW284
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-262
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 15A/105A TO262
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Ta），105A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.3 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5154 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.9W（Ta），250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• AOW284，AOS产品一站式供应商。