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AOTF11C60P_001是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220F通孔封装。其核心电气参数定义了其在高压开关应用中的竞争力，包括600V的漏源电压(Vdss)和11A的连续漏极电流(Id)，确保了其在工业级功率处理中的稳健性。

该器件的关键性能优势体现在其低损耗特性上：最大导通电阻(Rds(on))仅为400毫欧（@10V， 5.5A），配合最大50nC的栅极电荷(Qg)，共同实现了高效的功率转换与快速的开关响应。这些特性使其成为开关电源、电机驱动等应用中追求高效率与高可靠性的一个经典器件选择。

• 制造商产品型号：AOTF11C60P_001
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：11A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：400 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：50nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2333pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：50W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220F
• AOTF11C60P_001，AOS产品一站式供应商。