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AO3416是AOS推出的一款N沟道MOSFET，采用SOT-23-3L封装，专为高效率、高密度功率管理应用而设计。其核心卖点在于在紧凑的封装内实现了6.5A的连续电流处理能力和低至22毫欧的导通电阻（@ Vgs=4.5V），这显著降低了功率损耗并提升了系统能效。

该器件具备20V的漏源电压额定值，工作温度范围宽达-55°C至150°C，确保了应用的鲁棒性。其低栅极电荷（16nC @ 4.5V）和与逻辑电平兼容的驱动特性（Vgs(th) ≤ 1V），使其能够实现快速开关并易于由标准数字信号直接驱动，非常适合用于同步整流、负载开关及各类低压大电流的电源转换电路。

• 型号:AO3416
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3L
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 6.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1160 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:3-SMD，SOT-23-3 变式
• AO3416，AOS产品一站式供应商。