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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO3416是AOS推出的一款N沟道MOSFET，采用SOT-23-3L封装，专为高效率、高密度功率管理应用而设计。其核心卖点在于在紧凑的封装内实现了6.5A的连续电流处理能力和低至22毫欧的导通电阻（@ Vgs=4.5V），这显著降低了功率损耗并提升了系统能效。
该器件具备20V的漏源电压额定值，工作温度范围宽达-55°C至150°C，确保了应用的鲁棒性。其低栅极电荷（16nC @ 4.5V）和与逻辑电平兼容的驱动特性（Vgs(th) ≤ 1V），使其能够实现快速开关并易于由标准数字信号直接驱动，非常适合用于同步整流、负载开关及各类低压大电流的电源转换电路。
制造商产品型号：AO3416制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）描述：MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3L系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：不用於新FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：20V25°C时电流-连续漏极(Id)：6.5A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：22 毫欧 @ 6.5A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：16nC @ 4.5VVgs（最大值）：±8V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1160pF @ 10VFET功能：-功率耗散（最大值）：1.4W（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：SOT-23-3LAO3416，AOS产品一站式供应商。
基本参数：
电子零件型号：AO3416
原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
技术标准参数：MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3L
产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
点击此处查询AO3416的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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