AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO5800E是AOS公司生产的一款采用SC89-6L（SOT-563/SOT-666）封装的表面贴装型双N沟道MOSFET阵列。该器件集成了两个独立的逻辑电平门MOSFET，其漏源电压（Vdss）额定值为60V，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大为2.5V，确保了与低压数字控制电路的直接兼容性。
其核心电气参数表现出色，在10V Vgs、400mA Id条件下，导通电阻（Rds(on)）典型值为1.6欧姆，有助于降低导通损耗。同时，低至50pF的输入电容（Ciss）支持快速的开关切换。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于要求高可靠性的环境。这些特性使其成为空间紧凑型设计中实现高效负载开关、电源管理和信号切换功能的理想选择。
基本参数：
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