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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6764是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN封装，专为高效率、高电流应用而设计。其核心优势在于极低的导通电阻（典型值2.8mΩ @ 10V Vgs）和高达85A的连续漏极电流能力，能显著降低功率损耗，提升系统整体能效。
该器件支持4.5V至10V的标准栅极驱动电压，开关特性优异，栅极电荷（Qg）最大仅37nC，有利于实现高速开关并简化驱动电路设计。其集成的体二极管和30V的漏源电压额定值，使其在同步整流、电机控制和电源转换等低压、大电流场景中表现出色，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在宽温环境下的稳定运行。
基本参数：
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