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AOD200是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装。其核心电气参数针对高效率功率开关应用进行了优化，在10V栅极驱动下提供低至7.8毫欧的导通电阻，并在壳温条件下支持高达36A的连续漏极电流。

该器件具备快速开关特性，最大栅极电荷仅为16nC，有助于降低开关损耗。其30V的漏源电压额定值与2.4V的最大阈值电压，使其广泛适用于中低压领域的DC-DC转换、电机驱动及电源管理电路。宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）和50W（Tc）的功率耗散能力，确保了其在各种环境下的稳定性和可靠性。

• 型号:AOD200
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 14A/36A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Ta），36A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• AOD200，AOS产品一站式供应商。