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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOD200是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装。其核心电气参数针对高效率功率开关应用进行了优化，在10V栅极驱动下提供低至7.8毫欧的导通电阻，并在壳温条件下支持高达36A的连续漏极电流。
该器件具备快速开关特性，最大栅极电荷仅为16nC，有助于降低开关损耗。其30V的漏源电压额定值与2.4V的最大阈值电压，使其广泛适用于中低压领域的DC-DC转换、电机驱动及电源管理电路。宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）和50W（Tc）的功率耗散能力，确保了其在各种环境下的稳定性和可靠性。
制造商产品型号：AOD200制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）描述：MOSFET N-CH 30V 14A/36A TO252系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：14A（Ta），36A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7.8 毫欧 @ 20A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：16nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1300pF @ 15VFET功能：-功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），50W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：TO-252，（D-Pak）AOD200，AOS产品一站式供应商。
基本参数：
电子零件型号：AOD200
原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 14A/36A TO252
产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
点击此处查询AOD200的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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