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AOT66613L是AOS公司推出的一款采用TO-220封装的N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能AlphaSGT产品系列。该器件设计用于60V的中压环境，其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs驱动下典型值仅为2.5毫欧，这能显著降低导通状态下的功率损耗。

该MOSFET具备出色的电流处理能力，在壳温条件下连续漏极电流高达120A。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在110nC，结合优化的输入电容，确保了快速、高效的开关性能，有利于提升系统整体效率并降低电磁干扰。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和强大的功率耗散能力，使其能够适应严苛的工业应用环境。

• 型号:AOT66613L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 44.5A/120A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):44.5A（Ta），120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:8V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:110 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5300 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:8.3W（Ta），260W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• AOT66613L，AOS产品一站式供应商。