AOD2910E（AOS，晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-252，（D-Pak））

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零件图片（仅供参考）

规格参数

AOD2910E 是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装。该器件设计用于高电流、高电压应用，其核心规格包括100V的漏源电压（Vdss）以及在壳温条件下高达37A的连续漏极电流（Id）处理能力。

这些参数使其成为高效率功率开关应用的理想选择。其封装形式兼顾了功率耗散与PCB空间占用，优化的内部结构旨在提供较低的导通电阻，从而在导通状态下实现更低的功率损耗，提升系统整体能效。该器件适用于电源转换、电机驱动等对功率密度和可靠性有要求的领域。

制造商产品型号：AOD2910E

制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）

描述：MOSFET N-CH 100V 37A TO252

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：*

零件状态：有源

FET类型：-

技术：-

漏源电压（Vdss）：-

25°C时电流-连续漏极(Id)：37A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-

不同Id时Vgs(th)（最大值）：-

不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-

Vgs（最大值）：-

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-

FET功能：-

功率耗散（最大值）：-

工作温度：-

安装类型：表面贴装型

器件封装：TO-252，（D-Pak）

AOD2910E，AOS产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：AOD2910E

原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）

技术标准参数：MOSFET N-CH 100V 37A TO252

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处查询AOD2910E的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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