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零件图片(仅供参考)
AOD2910
规格参数

AOD2910是一款N沟道功率MOSFET,采用TO-252(D-Pak)表面贴装封装,由AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)制造。其核心电气参数包括100V的漏源击穿电压(Vdss)以及高达31A(Tc)的连续漏极电流处理能力,为中等功率应用提供了坚实的电压和电流基础。

该器件的突出优势在于其低损耗特性。在10V栅极驱动下,其导通电阻(Rds(On))低至24毫欧,有效降低了导通状态下的功率损耗。同时,其栅极电荷(Qg)仅为25nC,有助于实现快速的开关切换并减少驱动电路的损耗。这些特性使其非常适用于高效率的开关电源转换和电机驱动控制电路。

  • 制造商产品型号:AOD2910
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N CH 100V 6.5A TO252
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):100V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):6.5A(Ta),31A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):24 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.7V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):25nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1190pF @ 15V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):2.5W(Ta),53.5W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:TO-252,(D-Pak)
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    基本参数:
  • 电子零件型号:AOD2910
  • 原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
  • 技术标准参数:MOSFET N CH 100V 6.5A TO252
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOD2910的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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