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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO4444是一款采用SDMOS技术的N沟道功率MOSFET，采用8-SOIC表面贴装封装。其核心电气规格为80V漏源电压（Vdss）和11A连续漏极电流（Id），能够在10V栅极驱动下实现低至12毫欧的导通电阻（Rds(on)），有效降低导通损耗。
该器件具备46nC的低栅极电荷（Qg）和±25V的宽栅源电压耐受范围，有利于实现高效率的快速开关并简化驱动电路设计。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于工业级应用环境，主要面向DC-DC转换、电机驱动及电池管理等中等功率开关场景。
基本参数：
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