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AO8814是AOS公司推出的一款双N沟道、共漏极逻辑电平功率MOSFET阵列。其核心优势在于极低的导通电阻（16mΩ @ 7.5A, 10V）和低阈值电压（Vgs(th) ≤ 1V），这使其能够在标准逻辑电平驱动下实现高效的电能转换与功率控制，同时最大限度地降低传导损耗。

该器件采用紧凑的8-TSSOP表面贴装封装，支持高达20V的漏源电压和宽达-55°C至150°C的工作结温范围，确保了在空间受限及环境温度变化大的应用中的可靠性。其优化的栅极电荷（15.4nC @ 4.5V）特性有助于实现快速的开关速度，是设计高效率、高密度电源管理解决方案的理想选择。

• 型号:AO8814
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-TSSOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 8TSSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.4nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1390pF @ 10V
• 功率 - 最大值:1.5W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
• 供应商器件封装:8-TSSOP
• AO8814，AOS产品一站式供应商。