AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO8814是AOS公司推出的一款双N沟道、共漏极逻辑电平功率MOSFET阵列。其核心优势在于极低的导通电阻（16mΩ @ 7.5A, 10V）和低阈值电压（Vgs(th) ≤ 1V），这使其能够在标准逻辑电平驱动下实现高效的电能转换与功率控制，同时最大限度地降低传导损耗。
该器件采用紧凑的8-TSSOP表面贴装封装，支持高达20V的漏源电压和宽达-55°C至150°C的工作结温范围，确保了在空间受限及环境温度变化大的应用中的可靠性。其优化的栅极电荷（15.4nC @ 4.5V）特性有助于实现快速的开关速度，是设计高效率、高密度电源管理解决方案的理想选择。
基本参数：
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