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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOU3N60_001是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-251-3封装。其核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）和2.5A的连续漏极电流（Id），为高压应用提供了坚实的基础。
该器件的关键优势在于其平衡的性能参数：最大3.5欧姆的导通电阻（Rds(on) @ 1.25A, 10V）有助于降低导通损耗，而最大仅12nC的栅极电荷（Qg @ 10V）则确保了快速的开关响应，有利于提升系统效率。其工作结温范围宽达-50°C至150°C，并支持±30V的栅源电压，展现了良好的鲁棒性和驱动兼容性。
基本参数：
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