AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOB66613L是AOS公司基于AlphaSGT技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-263（D2Pak）封装，额定漏源电压（Vdss）为60V，在壳温（Tc）条件下可处理高达120A的连续电流，具备强大的功率处理能力。
其关键特性在于极低的导通电阻（Rds(on)典型值2.5mΩ @10V, 20A）与优化的栅极电荷（Qg最大值110nC @10V），这共同确保了在同步整流、DC-DC转换等高开关频率应用中，能同时实现低导通损耗和低开关损耗，从而提升系统整体效率。器件工作结温范围覆盖-55°C至150°C，可靠性高。
基本参数：
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