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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO4304是一款采用8-SOIC封装的N沟道功率MOSFET，由AOS制造。其核心电气特性包括30V的漏源电压（Vdss）和高达18A（Ta）的连续漏极电流额定值，适用于中低压、大电流的开关场景。
该器件的关键优势在于其优异的导通性能，在10V Vgs、15A Id条件下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为6毫欧，这直接有助于降低导通状态下的功率损耗。同时，其最大栅极电荷（Qg）为29nC，有利于实现快速的开关切换，减少开关损耗，提升整体电源转换效率。器件工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在宽温环境下的可靠性。
基本参数：
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