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AON7246E是AOS公司推出的一款N沟道MOSFET，采用先进的AlphaSGT技术，封装于8-DFN-EP（3x3）中。其核心电气参数包括60V的漏源击穿电压（Vdss）和13A的连续漏极电流（Id），为中等功率应用提供了坚实的基础。

该器件的关键优势在于其极低的导通损耗与优异的开关性能。其在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为13.2毫欧，同时栅极电荷（Qg）低至10nC（@4.5V）。这种低Rds(on)与低Qg的组合，使其能够在降低导通损耗的同时实现高效的开关操作，从而全面提升电源系统的转换效率。

此外，其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和24W（Tc）的功率耗散能力，确保了其在各种环境条件下的可靠性与稳定性，非常适合空间受限且要求高效率的同步整流和DC-DC转换应用。

• 型号:AON7246E
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3x3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 13A 8DFN
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13.2 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:755 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:24W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• AON7246E，AOS产品一站式供应商。