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零件图片（仅供参考）
AO4442L
规格参数

AO4442L是AOS公司生产的一款N沟道MOSFET，采用8-SO表面贴装封装。其核心电气特性包括75V的漏源电压（Vdss）和3.1A的连续漏极电流（Id），能够在-55°C至150°C的宽结温范围内稳定工作。

该器件的关键优势在于其优化的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至130毫欧，有助于降低导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值3.5nC @ 4.5V）和输入电容确保了快速的开关速度，有利于提升高频开关电源的效率并降低驱动需求。

  • 制造商产品型号：AO4442L
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CHANNEL 75V 3.1A 8SO
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：75V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：3.1A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：130 毫欧 @ 3.1A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：3.5nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）：±25V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：350pF @ 37.5V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-SO
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AO4442L
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CHANNEL 75V 3.1A 8SO
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AO4442L的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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