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AO4442L是AOS公司生产的一款N沟道MOSFET，采用8-SO表面贴装封装。其核心电气特性包括75V的漏源电压（Vdss）和3.1A的连续漏极电流（Id），能够在-55°C至150°C的宽结温范围内稳定工作。

该器件的关键优势在于其优化的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至130毫欧，有助于降低导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值3.5nC @ 4.5V）和输入电容确保了快速的开关速度，有利于提升高频开关电源的效率并降低驱动需求。

• 型号:AO4442L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 75V 3.1A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 3.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:350 pF @ 37.5 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• AO4442L，AOS产品一站式供应商。