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零件图片(仅供参考)

规格参数
AON6938是一款由AOS制造的30V双N沟道MOSFET阵列,采用8-PowerVDFN表面贴装封装。该器件集成了两个逻辑电平门驱动的N沟道MOSFET,构成一个半桥配置,其核心优势在于极低的导通电阻(8.2毫欧 @ 20A, 10V)和快速的开关性能(栅极电荷仅24nC @ 10V),能显著降低功率损耗并提升系统效率。
其电气参数设计针对现代低压数字系统,栅极阈值电压最大2.5V,可直接由3.3V或5V逻辑电路驱动,简化了设计。器件在25°C下可支持高达17A/33A的连续漏极电流,工作结温范围宽至-55°C ~ 150°C,确保了在多种应用环境下的稳定性和可靠性。这些特性使其成为同步整流DC-DC转换、电机驱动和高效负载开关等应用的优选功率开关解决方案。

基本参数:
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