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零件图片（仅供参考）
AOB1606L
规格参数

AOB1606L 是 AOS 推出的一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-263 (DPak) 表面贴装封装。其核心优势在于结合了 60V 的漏源电压 与极低的导通电阻，在 10V Vgs 和 20A Id 条件下，Rds(On) 典型值仅为 6 毫欧，能显著降低导通损耗，提升系统能效。

器件具备出色的电流处理能力，在壳温 (Tc) 条件下连续漏极电流高达 178A，最大功耗达 417W，并支持 -55°C 至 175°C 的宽工作结温范围，确保了在高温、高功率密度应用中的稳定性和可靠性。其栅极电荷 (Qg) 为 102nC，为优化开关速度和驱动设计提供了明确参数。

  • 制造商产品型号：AOB1606L
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 60V 12A/178A TO263
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：60V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：12A（Ta），178A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：102nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4500pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），417W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：TO-263（DPak）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOB1606L
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 60V 12A/178A TO263
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOB1606L的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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