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零件图片(仅供参考)

规格参数
AON7566 是AOS公司AlphaMOS系列中的一款N沟道功率MOSFET,采用8-DFN-EP(3x3)表面贴装封装。该器件在30V的漏源电压(VDSS)下,可支持高达34A(Tc)的连续漏极电流,并具备极低的导通电阻,典型值仅为3.7毫欧(@10V,20A),能显著降低功率应用中的传导损耗。
其设计优化了开关特性,栅极电荷(Qg)最大值仅为80nC(@10V),有助于实现高频开关并减少开关损耗。器件支持4.5V至10V的栅极驱动,兼容标准逻辑电平,工作结温范围宽达-55°C至150°C。这些特性使其成为同步整流、DC-DC转换和电机驱动等高效率、高密度电源解决方案的核心组件。

基本参数:

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