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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOD3N50是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装。该器件核心优势在于其500V的高漏源电压（Vdss）额定值与2.8A的连续漏极电流（Id）能力，为离线式电源应用提供了坚实的电压应力保障。
其技术参数突出高效与易驱动特性：最大导通电阻（Rds(on)）低至3欧姆（@1.5A, 10V），有效降低了导通损耗；同时，极低的栅极电荷（Qg，最大8nC @10V）与适中的栅极阈值电压，有助于实现快速开关并降低驱动电路的设计复杂度，从而提升系统整体效率。
基本参数：
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