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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOD4S60是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）封装。其核心规格为600V漏源电压（Vdss）和4A连续漏极电流，基于aMOS技术实现了优异的性能平衡。
该器件的关键电气参数针对高效开关应用进行了优化：在10V Vgs下，导通电阻（Rds(On)）低至900毫欧 @ 2A，有助于减少导通损耗；同时，其栅极电荷（Qg）仅为6nC @ 10V，配合较低的输入电容，确保了快速的开关瞬态和较低的驱动损耗。这些特性使其成为要求高耐压与高开关频率的功率转换设计的理想选择。
基本参数：
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