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AOT10T60P是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装。其核心规格为600V漏源电压（Vdss）与10A连续漏极电流，在高压应用中提供了坚实的耐压与载流基础。

该器件的关键优势在于其良好的动态与静态性能平衡：最大700毫欧的导通电阻（@5A,10V）确保了低导通损耗，而40nC的最大栅极电荷（@10V）则有利于实现高速开关并降低驱动损耗。其208W的最大功率耗散能力与宽工作结温范围（-55°C ~ 150°C）进一步保障了其在严苛环境下的热可靠性。

• 型号:AOT10T60P
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 600V 10A TO220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:700毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1595 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:208W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• AOT10T60P，AOS产品一站式供应商。