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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOD606是AOS公司推出的一款N沟道与P沟道共漏极配置的MOSFET阵列，采用TO-252-4表面贴装封装。该器件设计用于逻辑电平驱动，其40V的漏源电压和8A的连续漏极电流能力，使其适用于中等功率的开关应用。
其关键优势在于优异的导通特性与开关性能。在10V Vgs条件下，导通电阻最大值仅为33毫欧，有效降低了导通损耗。同时，极低的栅极电荷（最大值9.2nC）和输入电容（最大值404pF @ 20V）确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，有利于提升系统整体效率。宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）进一步保障了其在恶劣环境下的可靠性。
制造商产品型号：AOD606制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）描述：MOSFET N/P-CH 40V 8A TO252-4系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：-零件状态：停产FET类型：N 和 P 沟道，共漏FET功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）：40V25°C时电流-连续漏极(Id)：8A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：33 毫欧 @ 8A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：9.2nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：404pF @ 20V功率-最大值：1.6W，1.7W工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252ADAOD606，AOS产品一站式供应商。
基本参数：
电子零件型号：AOD606
原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
技术标准参数：MOSFET N/P-CH 40V 8A TO252-4
产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
点击此处查询AOD606的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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