
我们为全球各个行业提供AOS AO4421L及技术资料下载,帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。
零件图片(仅供参考)

规格参数
AO4421L是AOS推出的一款P沟道功率MOSFET,采用8-SO表面贴装封装。其核心电气参数包括60V的漏源电压(Vdss)和6.2A的连续漏极电流(Id),为中等功率应用提供了坚实的基础。
该器件的显著优势在于其优异的导通特性,在10V栅极驱动下,导通电阻(Rds(on))最大值仅为40毫欧,这能有效降低功率损耗并提升系统效率。同时,其3V的最大栅极阈值电压使其能够与标准逻辑电平(如3.3V或5V)直接接口,简化了驱动电路设计。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C,确保了在宽温环境下的可靠性。

基本参数:
AOS被热门搜索和购买的相关器件型号


AOS(万代半导体)全球授权代理商现货库存实时更新中,欢迎询价
AOS提供广泛的功率半导体产品线,包括完整的 MOSFET、IGBT、IPM、TVS、HVIC、SiC/GaN、电源管理IC产品系列
AOS代理商现货库存处理专家 - AOS全系列产品订货 - AOS公司实时全球现货库存查询






