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AONR66406 是 AOS 公司基于 AlphaSGT 技术开发的一款 N 沟道 MOSFET，采用 8-DFN-EP (3x3) 封装。该器件额定电压为 40V，在管壳温度 25°C 下可承载高达 30A 的连续电流，其核心优势在于极低的导通电阻与栅极电荷的优化平衡。

具体而言，其在 10V 驱动电压、20A 电流条件下的导通电阻最大值仅为 6.1 毫欧，同时栅极电荷最大值控制在 30nC。这一特性组合使其能够显著降低功率转换过程中的传导损耗和开关损耗，从而提升整体系统效率。其宽泛的工作温度范围 (-55°C 至 150°C 结温) 和强大的功率处理能力，确保了在 demanding 应用环境下的高可靠性。

• 型号:AONR66406
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3x3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 22A/30A 8DFN
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Ta），30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.1 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1480 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:5W（Ta），27W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• AONR66406，AOS产品一站式供应商。