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零件图片(仅供参考)
AONR66406
规格参数

AONR66406 是 AOS 公司基于 AlphaSGT 技术开发的一款 N 沟道 MOSFET,采用 8-DFN-EP (3x3) 封装。该器件额定电压为 40V,在管壳温度 25°C 下可承载高达 30A 的连续电流,其核心优势在于极低的导通电阻与栅极电荷的优化平衡。

具体而言,其在 10V 驱动电压、20A 电流条件下的导通电阻最大值仅为 6.1 毫欧,同时栅极电荷最大值控制在 30nC。这一特性组合使其能够显著降低功率转换过程中的传导损耗和开关损耗,从而提升整体系统效率。其宽泛的工作温度范围 (-55°C 至 150°C 结温) 和强大的功率处理能力,确保了在 demanding 应用环境下的高可靠性。

  • 制造商产品型号:AONR66406
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 40V 22A/30A 8DFN
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:AlphaSGT
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):40V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):22A(Ta),30A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):6.1 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):30nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1480pF @ 20V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):5W(Ta),27W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:8-DFN-EP(3x3)
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    基本参数:
  • 电子零件型号:AONR66406
  • 原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 40V 22A/30A 8DFN
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AONR66406的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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