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零件图片(仅供参考)

规格参数
AON2406是AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)推出的一款N沟道功率MOSFET,采用表面贴装型6-DFN-EP(2x2)封装。该器件额定漏源电压(Vdss)为20V,在25°C环境温度下可支持高达8A的连续漏极电流,适用于中低功率开关应用。
其核心电气特性包括在4.5V栅极驱动电压下最大仅12.5毫欧的低导通电阻,以及最大18nC的低栅极电荷(Qg@4.5V),这共同确保了较低的传导损耗和高效的开关性能。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C,并具备±8V的栅源电压耐受能力,提供了稳健的操作窗口。

基本参数:
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