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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOT412是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220通孔封装。该器件核心优势在于其100V的漏源电压（Vdss）额定值以及极低的导通电阻，在10V Vgs、20A Id条件下，Rds(on)最大值仅为15.8毫欧，能显著降低导通损耗，提升系统能效。
此外，其最大栅极电荷（Qg）低至54nC，有利于实现快速的开关切换，减少开关损耗。器件在管壳温度（Tc）下可支持高达60A的连续漏极电流和150W的功率耗散，结合-55°C至175°C的宽工作结温范围，确保了其在 demanding 应用环境下的高可靠性与强大的功率处理能力。
制造商产品型号：AOT412制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）描述：MOSFET N-CH 100V 8.2A/60A TO220系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：SDMOS零件状态：不用於新FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：100V25°C时电流-连续漏极(Id)：8.2A（Ta），60A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：7V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：15.8 毫欧 @ 20A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：54nC @ 10VVgs（最大值）：±25V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3220pF @ 50VFET功能：-功率耗散（最大值）：2.6W（Ta），150W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：TO-220AOT412，AOS产品一站式供应商。
基本参数：
电子零件型号：AOT412
原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
技术标准参数：MOSFET N-CH 100V 8.2A/60A TO220
产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
点击此处查询AOT412的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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