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AOT412是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220通孔封装。该器件核心优势在于其100V的漏源电压（Vdss）额定值以及极低的导通电阻，在10V Vgs、20A Id条件下，Rds(on)最大值仅为15.8毫欧，能显著降低导通损耗，提升系统能效。

此外，其最大栅极电荷（Qg）低至54nC，有利于实现快速的开关切换，减少开关损耗。器件在管壳温度（Tc）下可支持高达60A的连续漏极电流和150W的功率耗散，结合-55°C至175°C的宽工作结温范围，确保了其在 demanding 应用环境下的高可靠性与强大的功率处理能力。

• 型号:AOT412
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 8.2A/60A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.2A（Ta），60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:7V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3220 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.6W（Ta），150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• AOT412，AOS产品一站式供应商。