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AOD280A60是一款采用aMOS5技术的N沟道功率MOSFET，专为高压高效应用而设计。其核心参数包括600V的漏源电压（Vdss）和14A（Tc）的连续漏极电流（Id）额定值，提供了坚固的电气基础。

该器件的关键优势在于其优异的动态与静态性能平衡。在10V Vgs驱动下，其导通电阻（Rds(on)）低至280毫欧（@7A），有效降低了传导损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值23.5nC @10V）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关瞬态和较低的驱动损耗，有助于提升系统效率与开关频率。其采用TO-252（DPAK）封装，支持表面贴装，适用于高功率密度设计。

• 型号:AOD280A60
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 14A TO252
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1350 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:138W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• AOD280A60，AOS产品一站式供应商。