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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOD280A60是一款采用aMOS5技术的N沟道功率MOSFET，专为高压高效应用而设计。其核心参数包括600V的漏源电压（Vdss）和14A（Tc）的连续漏极电流（Id）额定值，提供了坚固的电气基础。
该器件的关键优势在于其优异的动态与静态性能平衡。在10V Vgs驱动下，其导通电阻（Rds(on)）低至280毫欧（@7A），有效降低了传导损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值23.5nC @10V）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关瞬态和较低的驱动损耗，有助于提升系统效率与开关频率。其采用TO-252（DPAK）封装，支持表面贴装，适用于高功率密度设计。
基本参数：
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