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零件图片（仅供参考）
AOT380A60L
规格参数

AOT380A60L是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装，专为高压高效开关应用而设计。其核心规格包括600V的漏源电压(Vdss)和11A的连续漏极电流(Id)，提供了稳健的功率处理能力。

该器件基于aMOS5技术，实现了低至380mΩ的导通电阻(Rds(on))与仅20nC的栅极电荷(Qg)的优异组合。这一特性使其在降低导通损耗的同时，也大幅减少了开关损耗，有利于提升系统整体效率并支持更高频率的运行。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了在恶劣环境下的高可靠性。

  • 制造商产品型号：AOT380A60L
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 11A TO220
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：aMOS5
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：600V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：11A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：380 毫欧 @ 5.5A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：20nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：955pF @ 100V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：131W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-220
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOT380A60L
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 600V 11A TO220
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOT380A60L的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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