
我们为全球各个行业提供AOS AOD1N60及技术资料下载,帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。
零件图片(仅供参考)

规格参数
AOD1N60 是一款N沟道高压功率MOSFET,采用TO-252(D-Pak)表面贴装封装。其核心优势在于600V的漏源电压额定值与优化的动态特性相结合,为高压开关应用提供了高效的解决方案。
该器件在10V栅极驱动下具有较低的导通电阻,有助于减少导通损耗。同时,其极低的栅极电荷(8nC)和输入电容(160pF)显著降低了开关损耗,支持更高频率的开关操作,从而提升电源系统的功率密度和效率。其1.3A的连续电流能力和45W的功率耗散能力,确保了在紧凑封装下的稳定功率输出。

基本参数:
AOS被热门搜索和购买的相关器件型号


AOS(万代半导体)全球授权代理商现货库存实时更新中,欢迎询价
AOS提供广泛的功率半导体产品线,包括完整的 MOSFET、IGBT、IPM、TVS、HVIC、SiC/GaN、电源管理IC产品系列
AOS代理商现货库存处理专家 - AOS全系列产品订货 - AOS公司实时全球现货库存查询






