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零件图片(仅供参考)
AOD1N60
规格参数

AOD1N60 是一款N沟道高压功率MOSFET,采用TO-252(D-Pak)表面贴装封装。其核心优势在于600V的漏源电压额定值优化的动态特性相结合,为高压开关应用提供了高效的解决方案。

该器件在10V栅极驱动下具有较低的导通电阻,有助于减少导通损耗。同时,其极低的栅极电荷(8nC)和输入电容(160pF)显著降低了开关损耗,支持更高频率的开关操作,从而提升电源系统的功率密度和效率。其1.3A的连续电流能力和45W的功率耗散能力,确保了在紧凑封装下的稳定功率输出。

  • 制造商产品型号:AOD1N60
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 600V 1.3A TO252
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):600V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):1.3A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):9 欧姆 @ 650mA,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):8nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):160pF @ 25V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):45W(Tc)
  • 工作温度:-50°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:TO-252,(D-Pak)
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    基本参数:
  • 电子零件型号:AOD1N60
  • 原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 600V 1.3A TO252
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOD1N60的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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